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Germany2SB1481(TOJS,Q,M)
元器件型号详细信息
原厂型号
2SB1481(TOJS,Q,M)
摘要
TRANS PNP 100V 4A TO220NIS
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 100 V 4 A 2 W 通孔 TO-220NIS
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
散装
产品状态
停产
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
4 A
电压 - 集射极击穿（最大值）
100 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
1.5V @ 6mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）
2µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
2000 @ 3A，2V
功率 - 最大值
2 W
频率 - 跃迁
-
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商器件封装
TO-220NIS
基本产品编号
2SB1481
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2SB1481(TOJSQM)
2SB1481TOJSQM
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/单双极晶体管/Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1481(TOJS,Q,M)
相关文档
规格书
1(2SB1481)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Device EOL 30/Nov/2016)
HTML 规格书
1(2SB1481)
价格
-
替代型号
-