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元器件型号详细信息
原厂型号
BSB013NE2LXIXUMA1
摘要
MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON
详情
表面贴装型 N 通道 25 V 36A（Ta），163A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M™
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
36A（Ta），163A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.3 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
62 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4400 pF @ 12 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.8W（Ta），57W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
MG-WDSON-2，CanPAK M™
封装/外壳
3-WDSON
基本产品编号
BSB013
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSB013NE2LXITR-ND
SP000756346
BSB013NE2LXIXUMA1TR
BSB013NE2LXI-ND
IFEINFBSB013NE2LXIXUMA1
BSB013NE2LXICT
2156-BSB013NE2LXIXUMA1
BSB013NE2LXIDKR
BSB013NE2LXI
BSB013NE2LXIDKR-ND
BSB013NE2LXIXUMA1CT
BSB013NE2LXIXUMA1DKR
BSB013NE2LXICT-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSB013NE2LXIXUMA1
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