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元器件型号详细信息
原厂型号
NP89N055PUK-E1-AY
摘要
MOSFET N-CH 55V 90A TO263-3
详情
表面贴装型 N 通道 55 V 90A（Tc） 1.8W（Ta），147W（Tc） TO-263-3
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
18 周
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4 毫欧 @ 45A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
102 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6000 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.8W（Ta），147W（Tc）
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263-3
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
NP89N055
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
NP89N055PUK-E1-AY-ND
559-NP89N055PUK-E1-AYTR
559-NP89N055PUK-E1-AYDKR
559-NP89N055PUK-E1-AYCT
-1161-NP89N055PUK-E1-AYCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Renesas Electronics America Inc NP89N055PUK-E1-AY
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规格书
1(NP89N055PUK)
PCN 封装
1(Label Change-All Devices 01/Dec/2022)
EDA 模型
1(NP89N055PUK-E1-AY by Ultra Librarian)
价格
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