元器件型号详细信息

原厂型号
NDD05N50ZT4G
摘要
MOSFET N-CH 500V 4.7A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 500 V 4.7A(Tc) 83W(Tc) DPAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.5 欧姆 @ 2.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
18.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
530 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
83W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
NDD05

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

NDD05N50ZT4G-ND
ONSONSNDD05N50ZT4G
NDD05N50ZT4GOSTR
NDD05N50ZT4GOSCT
2156-NDD05N50ZT4G-ONTR
NDD05N50ZT4GOSDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi NDD05N50ZT4G

相关文档

规格书
1(NDF,NDD05N50Z)
环保信息
1(onsemi RoHS)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices 01/Sep/2017)
PCN 组装/来源
1(Qualification Assembly Test Site 20/Feb/2014)
HTML 规格书
1(NDF,NDD05N50Z)

价格

-

替代型号

型号 : FDD5N50TM-WS
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