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GermanyHGTD7N60C3S9A
元器件型号详细信息
原厂型号
HGTD7N60C3S9A
摘要
IGBT 600V 14A TO252AA
详情
IGBT 600 V 14 A 60 W 表面贴装型 TO-252AA
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
14 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
56 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2V @ 15V，7A
功率 - 最大值
60 W
开关能量
165µJ（开），600µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
23 nC
25°C 时 Td（开/关）值
-
测试条件
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装
TO-252AA
基本产品编号
HGTD7N60
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
HGTD7N60C3S9AOSCT
HGTD7N60C3S9A-ND
HGTD7N60C3S9AOSTR
HGTD7N60C3S9AOSDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi HGTD7N60C3S9A
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规格书
1(HGTD7N60C3S, HGTP7N60C3)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 8/Apr/2021)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev 13/Aug/2020)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
HTML 规格书
1(HGTD7N60C3S, HGTP7N60C3)
价格
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