English
Spain
Rusia
Italy
GermanyFQD12N20LTM-F085P
元器件型号详细信息
原厂型号
FQD12N20LTM-F085P
摘要
MOSFET N-CH 200V 9A TO252
详情
表面贴装型 N 通道 200 V 9A（Tc） 2.5W（Ta），55W（Tc） TO-252AA
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
QFET®
包装
卷带（TR）
Product Status
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
280 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
21 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1080 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），55W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
FQD12N20
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FQD12N20LTM-F085P
相关文档
环保信息
()
EDA 模型
1(FQD12N20LTM-F085P by Ultra Librarian)
Forum Discussions
1(On Semiconductor Automotive F085 Status Check)
价格
数量: 2500
单价: $6.1566
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
替代型号
型号 : FQD12N20LTM
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥6.92000
替代类型. : 参数等效
库存 : 0
单价. : ¥6.92000
替代类型. : 参数等效
型号 : FQD12N20LTM-F085
制造商 : onsemi
库存 : 2,500
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 参数等效
库存 : 2,500
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 参数等效