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GermanyIPP057N06N3GXKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPP057N06N3GXKSA1
摘要
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详情
通孔 N 通道 60 V 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO220-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
管件
Product Status
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.7 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 58µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
82 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6600 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
115W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP057
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPP057N06N3 G
IPP057N06N3G
IPP057N06N3 G-ND
SP000680808
INFINFIPP057N06N3GXKSA1
2156-IPP057N06N3GXKSA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPP057N06N3GXKSA1
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1(IPx054,57N06N3 G)
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 60V N-Channel Spice Model)
价格
数量: 10000
单价: $5.52987
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 5000
单价: $5.6754
包装: 管件
最小包装数量: 1
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包装: 管件
最小包装数量: 1
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包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $11.567
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $12.88
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : IRF3205ZPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥14.71000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥24.25000
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替代类型. : 类似
型号 : IRF1405ZPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 3,497
单价. : ¥22.18000
替代类型. : 类似
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库存 : 257
单价. : ¥21.07000
替代类型. : 直接
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型号 : FDP060AN08A0
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型号 : HUF75345P3
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单价. : ¥0.00000
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型号 : TK4R3E06PL,S1X
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
单价. : ¥12.00000
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型号 : PSMN4R6-60PS,127
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥22.82000
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库存 : 0
单价. : ¥28.78000
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型号 : PSMN7R6-60PS,127
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 2,555
单价. : ¥16.54000
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单价. : ¥16.54000
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单价. : ¥31.96000
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