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GermanyFQN1N50CTA
元器件型号详细信息
原厂型号
FQN1N50CTA
摘要
MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3
详情
通孔 N 通道 500 V 380mA（Tc） 890mW（Ta），2.08W（Tc） TO-92-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
QFET®
包装
剪切带（CT）
Product Status
最后售卖
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
380mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6 欧姆 @ 190mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
195 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
890mW（Ta），2.08W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-92-3
封装/外壳
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
基本产品编号
FQN1N50
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FQN1N50CTA-ND
FQN1N50CTACT
FQN1N50CTADKRINACTIVE
FQN1N50CTADKR
2156-FQN1N50CTA-OS
FQN1N50CTADKR-ND
FQN1N50CTATB
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FQN1N50CTA
相关文档
规格书
1(FQN1N50C)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 30/Mar/2023)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Wafer Fab 28/Jul/2021)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
价格
数量: 10000
单价: $1.73739
包装: 带盒（TB）
最小包装数量: 2000
包装: 带盒（TB）
最小包装数量: 2000
数量: 6000
单价: $1.80421
包装: 带盒（TB）
最小包装数量: 2000
包装: 带盒（TB）
最小包装数量: 2000
数量: 2000
单价: $1.93787
包装: 带盒（TB）
最小包装数量: 2000
包装: 带盒（TB）
最小包装数量: 2000
数量: 1000
单价: $2.13836
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $2.67296
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $3.381
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $4.412
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $5.01
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
替代型号
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