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GermanySI1912EDH-T1-E3
元器件型号详细信息
原厂型号
SI1912EDH-T1-E3
摘要
MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6
详情
MOSFET - 阵列 20V 1.13A 570mW 表面贴装型 SC-70-6
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.13A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
280 毫欧 @ 1.13A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
450mV @ 100µA（最小）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
-
功率 - 最大值
570mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
SC-70-6
基本产品编号
SI1912
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
SI1912EDH-T1-E3DKR
SI1912EDH-T1-E3TR
SI1912EDHT1E3
SI1912EDH-T1-E3CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Vishay Siliconix SI1912EDH-T1-E3
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规格书
1(SI1912EDH)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(SIL-1072014 Rev0 17/Dec/2014)
HTML 规格书
1(SI1912EDH)
EDA 模型
1(SI1912EDH-T1-E3 by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : SI1922EDH-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 7
单价. : ¥3.26000
替代类型. : 直接
库存 : 7
单价. : ¥3.26000
替代类型. : 直接
型号 : FDG6301N
制造商 : onsemi
库存 : 125,060
单价. : ¥3.50000
替代类型. : 类似
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型号 : AO7800
制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 0
单价. : ¥0.87982
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥0.87982
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型号 : US6K4TR
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 26,470
单价. : ¥4.93000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥4.93000
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型号 : FDG6303N
制造商 : onsemi
库存 : 72,510
单价. : ¥3.90000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥3.90000
替代类型. : 类似
型号 : FDG6335N
制造商 : onsemi
库存 : 500
单价. : ¥4.37000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥4.37000
替代类型. : 类似