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GermanySTI360N4F6
元器件型号详细信息
原厂型号
STI360N4F6
摘要
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
详情
通孔 N 通道 40 V 120A（Tc） 300W（Tc） I2PAK（TO-262）
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.8 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
340 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
17930 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
I2PAK（TO-262）
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
基本产品编号
STI360N
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
STI360N4F6-ND
-497-14565-5
497-14565-5
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STI360N4F6
相关文档
规格书
1(STI360N4F6, STP360N4F6)
产品培训模块
1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices 29/Nov/2017)
HTML 规格书
1(STI360N4F6, STP360N4F6)
价格
-
替代型号
-