元器件型号详细信息

原厂型号
CSD17559Q5
摘要
MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8VSON
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 40A(Ta),100A(Tc) 3.2W(Ta),96W(Tc) 8-VSON-CLIP(5x6)
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
6 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
40A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.15 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
51 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
9200 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.2W(Ta),96W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-VSON-CLIP(5x6)
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
CSD17559

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-296-35582-1
2156-CSD17559Q5
296-35582-6
TEXTISCSD17559Q5
296-35582-2
-296-35582-1-ND
296-35582-1

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Texas Instruments CSD17559Q5

相关文档

规格书
1(CSD17559Q5T Datasheet)
特色产品
1(Power Management)
PCN 设计/规格
1(Qualification Revision A 01/Jul/2014)
PCN 组装/来源
1(Assembly/Test Site Revision C 09/Feb/2015)
制造商产品页面
1(CSD17559Q5 Specifications)
HTML 规格书
1(CSD17559Q5T Datasheet)
EDA 模型
1(CSD17559Q5 by Ultra Librarian)

价格

数量: 5000
单价: $10.33033
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 2500
单价: $10.72765
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 1000
单价: $11.52229
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $13.9062
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $16.9255
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $21.058
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $23.45
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $11.52229
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

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