元器件型号详细信息

原厂型号
TK28N65W,S1F
摘要
MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
详情
通孔 N 通道 650 V 27.6A(Ta) 230W(Tc) TO-247
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30

技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
DTMOSIV
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
27.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
110 毫欧 @ 13.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 1.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
75 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3000 pF @ 300 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
230W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
TK28N65

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

TK28N65W,S1F(S
TK28N65WS1F

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage TK28N65W,S1F

相关文档

规格书
1(TK28N65W)
特色产品
1(Server Solutions)
EDA 模型
1(TK28N65W by Ultra Librarian)

价格

数量: 30
单价: $42.145
包装: 管件
最小包装数量: 30

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