元器件型号详细信息

原厂型号
PMV22EN,215
摘要
MOSFET N-CH 30V 5.2A TO236AB
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 5.2A(Ta) 510mW(Ta) SOT-23(TO-236AB)
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
NXP USA Inc.
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
22 毫欧 @ 5.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
13 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
480 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
510mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23(TO-236AB)
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
基本产品编号
PMV2

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

568-7535-2
568-7535-1
2156-PMV22EN215
568-7535-6
934065651215
954-PMV22EN215
NEXNXPPMV22EN,215
PMV22EN215

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/NXP USA Inc. PMV22EN,215

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规格书
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PCN 封装
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
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价格

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替代型号

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