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GermanyISL9R860S3ST
元器件型号详细信息
原厂型号
ISL9R860S3ST
摘要
DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK
详情
二极管 600 V 8A 表面贴装型 D²PAK（TO-263）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
Stealth™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
600 V
电流 - 平均整流 (Io)
8A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
2.4 V @ 8 A
速度
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr)
30 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
100 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容
-
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
D²PAK（TO-263）
工作温度 - 结
-55°C ~ 175°C
基本产品编号
ISL9R860
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
其它名称
ISL9R860S3STTR
ISL9R860S3ST-ND
ISL9R860S3STCT
ISL9R860S3STDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/onsemi ISL9R860S3ST
相关文档
规格书
1(ISL9R860P2/S2/S3ST)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 8/Apr/2021)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Update 29/Sep/2020)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(ISL9R860P2/S2/S3ST)
EDA 模型
1(ISL9R860S3ST by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : VS-8ETX06S-M3
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 0
单价. : ¥4.00604
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥4.00604
替代类型. : 类似
型号 : DSEI36-06AS-TUB
制造商 : IXYS
库存 : 46
单价. : ¥36.57000
替代类型. : 类似
库存 : 46
单价. : ¥36.57000
替代类型. : 类似
型号 : BYC8B-600,118
制造商 : WeEn Semiconductors
库存 : 0
单价. : ¥4.19755
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥4.19755
替代类型. : 类似
型号 : VS-ETH3006STRR-M3
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 0
单价. : ¥7.98321
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥7.98321
替代类型. : 类似
型号 : VS-8ETH06STRRHM3
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 0
单价. : ¥7.20500
替代类型. : 参数等效
库存 : 0
单价. : ¥7.20500
替代类型. : 参数等效
型号 : VS-8ETH06STRLHM3
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 0
单价. : ¥7.20500
替代类型. : 参数等效
库存 : 0
单价. : ¥7.20500
替代类型. : 参数等效