English
Spain
Rusia
Italy
Germany1N8035-GA
元器件型号详细信息
原厂型号
1N8035-GA
摘要
DIODE SIL CARB 650V 14.6A TO276
详情
二极管 650 V 14.6A 表面贴装型 TO-276
原厂/品牌
GeneSiC Semiconductor
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
10
供应商库存
技术参数
制造商
GeneSiC Semiconductor
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
技术
SiC（Silicon Carbide）Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
650 V
电流 - 平均整流 (Io)
14.6A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.5 V @ 15 A
速度
无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间 (trr)
0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
5 µA @ 650 V
不同 Vr、F 时电容
1107pF @ 1V，1MHz
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-276AA
供应商器件封装
TO-276
工作温度 - 结
-55°C ~ 250°C
基本产品编号
1N8035
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
其它名称
1242-1122
1N8035GA
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/GeneSiC Semiconductor 1N8035-GA
相关文档
特色产品
1(Silicon Carbide Schottky Diode)
价格
-
替代型号
-