English
Spain
Rusia
Italy
GermanyFGA30T65SHD
元器件型号详细信息
原厂型号
FGA30T65SHD
摘要
IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PN
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 60 A 238 W 通孔 TO-3PN
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
450
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
Product Status
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
90 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V，30A
功率 - 最大值
238 W
开关能量
598µJ（开），167µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
54.7 nC
25°C 时 Td（开/关）值
14.4ns/52.8ns
测试条件
400V，30A，6 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
31.8 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装
TO-3PN
基本产品编号
FGA30T65
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-FGA30T65SHD-OS
ONSONSFGA30T65SHD
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi FGA30T65SHD
相关文档
规格书
1(FGA30T65SHD Datasheet)
环保信息
()
特色产品
1(650 V, 30A/40A/60A, Field Stop Trench, FS3 IGBT for Optimum Performance)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 30/Jun/2022)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Wafer Fab Change 11/Oct/2021)
PCN 封装
()
价格
数量: 5000
单价: $18.59829
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $19.32481
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $20.34187
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $24.11968
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $28.3331
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $34.581
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $38.48
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : FGA40T65SHD
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥30.84000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥30.84000
替代类型. : 类似