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GermanyIGT60R070D1ATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IGT60R070D1ATMA1
摘要
GANFET N-CH 600V 31A 8HSOF
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 31A（Tc） 125W（Tc） PG-HSOF-8-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolGaN™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
31A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1，6V @ 2，6mA
Vgs（最大值）
-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
380 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-HSOF-8-3
封装/外壳
8-PowerSFN
基本产品编号
IGT60R070
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP001300364
IGT60R070D1ATMA1DKR
IGT60R070D1ATMA1CT
IGT60R070D1ATMA1TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IGT60R070D1ATMA1
相关文档
规格书
()
其他相关文档
()
视频文件
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 19/Jul/2021)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev DS Rev 9/Nov/2021)
PCN 封装
1(Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018)
HTML 规格书
()
EDA 模型
1(IGT60R070D1ATMA1 by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : IGT60R070D1ATMA4
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 100
单价. : ¥176.88000
替代类型. : 直接
库存 : 100
单价. : ¥176.88000
替代类型. : 直接