元器件型号详细信息

原厂型号
FDP10N60NZ
摘要
MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3
详情
通孔 N 通道 600 V 10A(Tc) 185W(Tc) TO-220-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
onsemi
系列
UniFET-II™
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
750 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
30 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1475 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
185W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
FDP10

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

2156-FDP10N60NZ-OS
ONSONSFDP10N60NZ

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi FDP10N60NZ

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规格书
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环保信息
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1(Mult Dev EOL 23/Dec/2021)
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Asembly Chg 7/May/2020)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(TO220B03 Pkg Drawing)
EDA 模型
1(FDP10N60NZ by SnapEDA)

价格

-

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