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GermanyFDP10N60NZ
元器件型号详细信息
原厂型号
FDP10N60NZ
摘要
MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3
详情
通孔 N 通道 600 V 10A（Tc） 185W（Tc） TO-220-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
UniFET-II™
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
750 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
30 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1475 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
185W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
FDP10
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-FDP10N60NZ-OS
ONSONSFDP10N60NZ
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDP10N60NZ
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规格书
()
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 23/Dec/2021)
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Asembly Chg 7/May/2020)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(TO220B03 Pkg Drawing)
EDA 模型
1(FDP10N60NZ by SnapEDA)
价格
-
替代型号
型号 : FDPF10N60NZ
制造商 : onsemi
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型号 : APT12F60K
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型号 : STP9N60M2
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库存 : 35
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