元器件型号详细信息

原厂型号
CMS35P06D-HF
摘要
MOSFET P-CH 60V 35A DPAK
详情
表面贴装型 P 通道 60 V 35A(Tc) 2W(Ta),72.6W(Tc) D-PAK(TO-252)
原厂/品牌
Comchip Technology
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Comchip Technology
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
35A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
28 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
43.8 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2595 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2W(Ta),72.6W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D-PAK(TO-252)
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
CMS35

相关信息

RoHS 状态
符合 RoHS 规范
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Comchip Technology CMS35P06D-HF

相关文档

规格书
1(CMS35P06D-HF)
环保信息
1(Comchip Technology RoHS Cert)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 10/Dec/2021)
HTML 规格书
1(CMS35P06D-HF)

价格

-

替代型号

-