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元器件型号详细信息
原厂型号
STB30N65DM6AG
摘要
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 28A（Tc） 223W（Tc） D²PAK（TO-263）
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
115 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
46 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2000 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
223W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK（TO-263）
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STB30N65DM6AG
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规格书
1(STB30N65DM6AG)
特色产品
1(STx30N65DM6 STPOWER MOSFET MDmesh DM6 Series)
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1(STB30N65DM6AG by Ultra Librarian)
价格
数量: 2000
单价: $26.68974
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
数量: 1000
单价: $28.09443
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
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最小包装数量: 1000
数量: 500
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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替代型号
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