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GermanyNTJD1155LT2G
元器件型号详细信息
原厂型号
NTJD1155LT2G
摘要
MOSFET N/P-CH SC-88-6
详情
MOSFET - 阵列 8V 400mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
65 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
8V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
175 毫欧 @ 1.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
-
功率 - 最大值
400mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
SC-88/SC70-6/SOT-363
基本产品编号
NTJD1155
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
488-NTJD1155LT2GCT
488-NTJD1155LT2GTR
NTJD1155LT2G-ND
488-NTJD1155LT2GDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi NTJD1155LT2G
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规格书
1(NTJD1155L)
环保信息
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/Mat Chg 14/May/2021)
HTML 规格书
1(NTJD1155L)
价格
数量: 75000
单价: $0.94485
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 3000
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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