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GermanyPLZ33B-HG3_A/H
元器件型号详细信息
原厂型号
PLZ33B-HG3_A/H
摘要
DIODE ZENER 33V 500MW DO219AC
详情
二极管 - 齐纳 33 V 500 mW ±3% 表面贴装型 DO-219AC（microSMF）
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
12 周
EDA/CAD 模型
标准包装
4,500
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
Automotive, AEC-Q101, PLZ
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
33 V
容差
±3%
功率 - 最大值
500 mW
阻抗（最大值）(Zzt)
65 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
200 nA @ 25 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
900 mV @ 10 mA
工作温度
150°C
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
DO-219AC
供应商器件封装
DO-219AC（microSMF）
基本产品编号
PLZ33
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0050
其它名称
PLZ33B-HG3/H
PLZ33B-HG3/HGITR-ND
PLZ33B-HG3/HGICT-ND
112-PLZ33B-HG3_A/HDKR
112-PLZ33B-HG3_A/HCT
PLZ33B-HG3/HGIDKR-ND
112-PLZ33B-HG3_A/HTR
PLZ33B-HG3/HGICT
PLZ33B-HG3/H-ND
PLZ33B-HG3/HGIDKR
PLZ33B-HG3/HGITR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/齐纳/单齐纳二极管/Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ33B-HG3_A/H
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价格
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