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GermanyBSC889N03LSGATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSC889N03LSGATMA1
摘要
MOSFET N-CH 30V 13A/45A TDSON
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 13A（Ta），45A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A（Ta），45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
16 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1300 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），28W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1
封装/外壳
8-PowerTDFN
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSC889N03LS GDKR-ND
IFEINFBSC889N03LSGATMA1
BSC889N03LSGATMA1DKR
BSC889N03LS G-ND
BSC889N03LSG
BSC889N03LSGATMA1TR
BSC889N03LS GCT
BSC889N03LS G
BSC889N03LS GCT-ND
2156-BSC889N03LSGATMA1
BSC889N03LS GTR-ND
SP000475952
BSC889N03LSGATMA1CT
BSC889N03LS GDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSC889N03LSGATMA1
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1(BSC889N03LS G)
价格
-
替代型号
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型号 : CSD17579Q5AT
制造商 : Texas Instruments
库存 : 2,693
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型号 : CSD17307Q5A
制造商 : Texas Instruments
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库存 : 5,827
单价. : ¥7.95000
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