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元器件型号详细信息
原厂型号
NXV55UNR
摘要
NXV55UN/SOT23/TO-236AB
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 1.9A（Ta） 340mW（Ta），2.1W（Tc） TO-236AB
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
4 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
66 毫欧 @ 1.9A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.7 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
352 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
340mW（Ta），2.1W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-236AB
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
934661664215
1727-NXV55UNRTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Nexperia USA Inc. NXV55UNR
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规格书
1(NXV55UN)
EDA 模型
1(NXV55UNR by Ultra Librarian)
价格
数量: 3000
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最小包装数量: 3000
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