最后更新
20250722
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元器件资讯
库存查询
DMN1003UCA6-7
元器件型号详细信息
原厂型号
DMN1003UCA6-7
摘要
MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6
详情
MOSFET - 阵列 2.67W 表面贴装型 X3-DSN3518-6
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
28 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
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技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
56.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3315pF @ 6V
功率 - 最大值
2.67W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-SMD,无引线
供应商器件封装
X3-DSN3518-6
基本产品编号
DMN1003
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
DMN1003UCA6-7DITR
DMN1003UCA6-7-ND
DMN1003UCA6-7DIDKR
DMN1003UCA6-7DICT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Diodes Incorporated DMN1003UCA6-7
相关文档
规格书
1(DMN1003UCA6)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Chgs 16/Dec/2020)
仿真模型
1(DMN1003UCA6 Spice Model)
价格
数量: 30000
单价: $2.59455
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 15000
单价: $2.65681
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
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