元器件型号详细信息

原厂型号
STS3P6F6
摘要
MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
详情
表面贴装型 P 通道 60 V 3A(Tj) 2.7W(Tc) 8-SOIC
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
STMicroelectronics
系列
DeepGATE™, STripFET™ VI
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
160 毫欧 @ 1.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
340 pF @ 48 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.7W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
基本产品编号
STS3P

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3(168 小时)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

497-13785-6
-497-13785-2
-497-13785-1
-497-13785-6
497-13785-1
497-13785-2

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/STMicroelectronics STS3P6F6

相关文档

规格书
1(STS3P6F6)
产品培训模块
1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
PCN 产品变更/停产
1(Mosfet EOL 6/Apr/2018)
HTML 规格书
1(STS3P6F6)

价格

-

替代型号

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