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GermanyFDB6670AS
元器件型号详细信息
原厂型号
FDB6670AS
摘要
MOSFET N-CH 30V 62A TO263AB
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 62A（Ta） 62.5W（Tc） D²PAK（TO-263）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
62A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.5 毫欧 @ 31A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
39 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1570 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
62.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK（TO-263）
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
FDB667
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDB6670AS
相关文档
规格书
1(FDB6670AS, FDP6670AS)
视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
()
特色产品
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 03/Dec/2009)
HTML 规格书
1(FDB6670AS, FDP6670AS)
价格
-
替代型号
型号 : PSMN017-30BL,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 3,683
单价. : ¥8.75000
替代类型. : 类似
库存 : 3,683
单价. : ¥8.75000
替代类型. : 类似
型号 : PSMN4R3-30BL,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 10,510
单价. : ¥12.47000
替代类型. : 类似
库存 : 10,510
单价. : ¥12.47000
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