English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIRF7749L2TRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRF7749L2TRPBF
摘要
MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFET
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 33A（Ta），375A（Tc） 3.3W（Ta），125W（Tc） DirectFET™ 等距 L8
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
33A（Ta），375A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 120A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
300 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
12320 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.3W（Ta），125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DirectFET™ 等距 L8
封装/外壳
DirectFET™ 等距 L8
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRF7749L2TRPBFCT
IRF7749L2TRPBFTR
IRF7749L2TRPBFDKR
2156-IRF7749L2TRPBF
IFEINFIRF7749L2TRPBF
SP001577498
IRF7749L2TRPBF-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF7749L2TRPBF
相关文档
规格书
1(IRF7749L2PBF)
其他相关文档
1(IR Part Numbering System)
产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
()
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Label Chgs Aug/2020)
PCN 组装/来源
1(Wafer Test Site Add 7/Apr/2017)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(IRF7749L2PBF)
仿真模型
1(IRF7749L2TR1PBF Saber Model)
价格
-
替代型号
型号 : IRF7749L1TRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥39.99000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥39.99000
替代类型. : 类似
型号 : IRF7769L1TRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 8,161
单价. : ¥39.99000
替代类型. : 类似
库存 : 8,161
单价. : ¥39.99000
替代类型. : 类似