元器件型号详细信息

原厂型号
TRS6E65C,S1AQ
摘要
DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2L
详情
二极管 650 V 6A 通孔 TO-220-2L
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50

技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
技术
SiC(Silicon Carbide)Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
650 V
电流 - 平均整流 (Io)
6A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.7 V @ 6 A
速度
无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr)
0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
90 µA @ 650 V
不同 Vr、F 时电容
35pF @ 650V,1MHz
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-2
供应商器件封装
TO-220-2L
工作温度 - 结
175°C(最大)
基本产品编号
TRS6E65

相关信息

RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080

其它名称

TRS6E65C,S1Q
TRS6E65CS1Q-ND
TRS6E65C,S1AQ(S
TRS6E65CS1AQ(S
TRS6E65CS1AQ
TRS6E65CS1Q
TRS6E65C,S1Q(S

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/Toshiba Semiconductor and Storage TRS6E65C,S1AQ

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PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 18/Oct/2018)

价格

-

替代型号

型号 : TRS6E65F,S1Q
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 40
单价. : ¥21.94000
替代类型. : 类似
型号 : NXPSC066506Q
制造商 : WeEn Semiconductors
库存 : 3,000
单价. : ¥28.62000
替代类型. : 参数等效