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GermanySTS8DN3LLH5
元器件型号详细信息
原厂型号
STS8DN3LLH5
摘要
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
详情
MOSFET - 阵列 30V 10A 2.7W 表面贴装型 8-SOIC
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
STripFET™ V
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
19 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
724pF @ 25V
功率 - 最大值
2.7W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
STS8DN3
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
497-10391-6
497-10391-2
497-10391-1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/STMicroelectronics STS8DN3LLH5
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1(STS8DN3LLH5)
EDA 模型
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价格
数量: 12500
单价: $5.3607
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
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最小包装数量: 2500
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