English
Spain
Rusia
Italy
GermanyFQB11P06TM
元器件型号详细信息
原厂型号
FQB11P06TM
摘要
MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK
详情
表面贴装型 P 通道 60 V 11.4A（Tc） 3.13W（Ta），53W（Tc） D²PAK（TO-263）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
QFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
175 毫欧 @ 5.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
550 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.13W（Ta），53W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK（TO-263）
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
FQB11P06
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FQB11P06TM-ND
FQB11P06TMCT
FQB11P06TMDKR
FQB11P06TMTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FQB11P06TM
相关文档
规格书
1(FQB11P06)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 23/Dec/2021)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Update 29/Sep/2020)
PCN 封装
()
价格
-
替代型号
型号 : FQB27P06TM
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥16.38000
替代类型. : MFR Recommended
库存 : 0
单价. : ¥16.38000
替代类型. : MFR Recommended
型号 : IRF9Z34STRLPBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 6,509
单价. : ¥15.90000
替代类型. : 类似
库存 : 6,509
单价. : ¥15.90000
替代类型. : 类似
型号 : IRF9Z34STRRPBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 408
单价. : ¥22.34000
替代类型. : 类似
库存 : 408
单价. : ¥22.34000
替代类型. : 类似
型号 : IRF9Z34SPBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 2,813
单价. : ¥15.90000
替代类型. : 类似
库存 : 2,813
单价. : ¥15.90000
替代类型. : 类似