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GermanyFQB6N40CTM
元器件型号详细信息
原厂型号
FQB6N40CTM
摘要
MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 400 V 6A（Tc） 73W（Tc） D²PAK（TO-263）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
QFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1 欧姆 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
625 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
73W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK（TO-263）
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
FQB6N40
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FQB6N40CTMTR
FQB6N40CTM-ND
FQB6N40CTMCT
FQB6N40CTMDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FQB6N40CTM
相关文档
规格书
1(FQB6N40C)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 23/Dec/2021)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Assembly Chgs 21/Dec/2020)
PCN 封装
()
EDA 模型
1(FQB6N40CTM by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : FQD6N40CTM
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥9.54000
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库存 : 0
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型号 : IRF730STRRPBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥11.23351
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型号 : IRF730STRLPBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥18.92000
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型号 : IRF730ASPBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 1,641
单价. : ¥18.21000
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型号 : STB11NK40ZT4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 109
单价. : ¥20.03000
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