最后更新
20250407
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元器件资讯
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SI5411EDU-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SI5411EDU-T1-GE3
摘要
MOSFET P-CH 12V 25A PPAK
详情
表面贴装型 P 通道 12 V 25A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) PowerPAK® ChipFET 单通道
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
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技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
25A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
8.2 毫欧 @ 6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
105 nC @ 8 V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4100 pF @ 6 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.1W(Ta),31W(Tc)
工作温度
-50°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® ChipFET 单通道
封装/外壳
PowerPAK® CHIPFET™ 单
基本产品编号
SI5411
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SI5411EDU-T1-GE3TR
SI5411EDU-T1-GE3CT
SI5411EDU-T1-GE3DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SI5411EDU-T1-GE3
相关文档
规格书
1(SI5411EDU)
特色产品
1(12 V and 20 V P-Channel Gen III MOSFETs)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018)
PCN 组装/来源
1(Mult Devs Assembly Location 31/Jan/2023)
HTML 规格书
1(SI5411EDU)
价格
-
替代型号
型号 : SI5419DU-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 21,958
单价. : ¥4.93000
替代类型. : 类似
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