元器件型号详细信息

原厂型号
BSC0805LSATMA1
摘要
MOSFET N-CH 100V 79A TDSON-8-6
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 79A(Tc) 83W(Tc) PG-TDSON-8-6
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™ 5
包装
卷带(TR)
Product Status
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
79A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 49µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
20 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2700 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
83W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8-6
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
BSC0805

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SP001861048
448-BSC0805LSATMA1CT
448-BSC0805LSATMA1DKR
448-BSC0805LSATMA1TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies BSC0805LSATMA1

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EDA 模型
1(BSC0805LSATMA1 by Ultra Librarian)

价格

数量: 5000
单价: $8.38145
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 5000
数量: 2000
单价: $8.7038
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $9.34855
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $11.28268
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $13.7329
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $17.084
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
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数量: 100
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数量: 10
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最小包装数量: 1
数量: 1
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最小包装数量: 1

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