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GermanyDMN2027LK3-13
元器件型号详细信息
原厂型号
DMN2027LK3-13
摘要
MOSFET N-CH 20V 11.6A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 11.6A（Ta） 2.14W（Ta） TO-252-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
21 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.1 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
857 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.14W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252-3
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
DMN2027
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
DMN2027LK3-13DICT
DMN2027LK3-13DIDKR
DMN2027LK313
DMN2027LK3-13DITR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated DMN2027LK3-13
相关文档
规格书
1(DMN2027LK3)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 产品变更/停产
1(Discrete Family 24/Jul/2013)
HTML 规格书
1(DMN2027LK3)
EDA 模型
1(DMN2027LK3-13 by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
-