English
Spain
Rusia
Italy
GermanyZXMN6A09KTC
元器件型号详细信息
原厂型号
ZXMN6A09KTC
摘要
MOSFET N-CH 60V 7.7A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 7.7A（Ta） 2.15W（Ta） TO-252-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
40 毫欧 @ 7.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
29 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1426 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.15W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252-3
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
ZXMN6
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
ZXMN6A09KTCDKR
ZXMN6A09KTCDKR-NDR
981-ZXMN6A09KTC
ZXMN6A09KTCCT-NDR
ZXMN6A09KTCCT
ZXMN6A09KTCTR
ZXMN6A09KTCTR-NDR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated ZXMN6A09KTC
相关文档
规格书
1(ZXMN6A09KTC)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
价格
-
替代型号
型号 : IRLR2705TRLPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 13,519
单价. : ¥7.71000
替代类型. : 类似
库存 : 13,519
单价. : ¥7.71000
替代类型. : 类似
型号 : STD20NF06LT4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 17,305
单价. : ¥12.32000
替代类型. : 类似
库存 : 17,305
单价. : ¥12.32000
替代类型. : 类似
型号 : STD20NF06T4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 1,594
单价. : ¥10.25000
替代类型. : 类似
库存 : 1,594
单价. : ¥10.25000
替代类型. : 类似