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元器件型号详细信息
原厂型号
JANTXV2N6796
摘要
MOSFET N-CH 100V 8A TO205AF
详情
通孔 N 通道 100 V 8A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
原厂/品牌
Microsemi Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Microsemi Corporation
系列
Military, MIL-PRF-19500/557
包装
散装
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
195 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
28.51 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
800mW（Ta），25W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-205AF（TO-39）
封装/外壳
TO-205AF 金属罐
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
JANTXV2N6796-ND
JANTXV2N6796-MIL
150-JANTXV2N6796
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Microsemi Corporation JANTXV2N6796
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环保信息
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PCN 产品变更/停产
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价格
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替代型号
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