RN1110MFV,L3F

元器件型号详细信息

原厂型号

RN1110MFV,L3F

摘要

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

详情

晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 150 mW 表面贴装型 VESM

原厂/品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

原厂到货时间

52 周

EDA/CAD 模型

标准包装

8,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

-

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

晶体管类型

NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

电阻器 - 基极 (R1)

4.7 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）

120 @ 1mA，5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）

300mV @ 500µA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值）

100nA（ICBO）

功率 - 最大值

150 mW

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

SOT-723

供应商器件封装

VESM

基本产品编号

RN1110

其它名称

264-RN1110MFV,L3FCT

RN1110MFV(TL3T)TR

RN1110MFV(TL3T)DKR-ND

RN1110MFV(TL3,T)

RN1110MFVL3FTR

RN1110MFVTL3T

RN1110MFVL3F

RN1110MFVL3FTR-ND

RN1110MFVL3FDKR

RN1110MFVL3FDKR-ND

RN1110MFV,L3F(T

RN1110MFV(TL3T)CT

RN1110MFV(TL3T)DKR

RN1110MFV,L3F(B

RN1110MFV(TL3T)CT-ND

RN1110MFVL3FCT

RN1110MFVL3FINACTIVE

RN1110MFV(TL3T)TR-ND

RN1110MFVL3FCT-ND

RN1110MFVL3F-ND

264-RN1110MFV,L3FTR

264-RN1110MFV,L3FDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/单，预偏置双极晶体管/Toshiba Semiconductor and Storage RN1110MFV,L3F

价格

数量: 200000

单价: $0.1431
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 8000

数量: 56000

单价: $0.1618
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 8000

数量: 24000

单价: $0.18202
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 8000

数量: 16000

单价: $0.20225
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 8000

数量: 8000

单价: $0.23258
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 8000

数量: 1

单价: $1.35
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $1.35
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : DTC143ZM3T5G

制造商 : onsemi
库存 : 4,020
单价. : ¥2.94000
替代类型. : 类似

型号 : DTC143TMT2L

制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 5,600
单价. : ¥3.74000
替代类型. : 类似

型号 : DTC143EM3T5G

制造商 : onsemi
库存 : 134,610
单价. : ¥2.62000
替代类型. : 类似

型号 : DTC143TM3T5G

制造商 : onsemi
库存 : 8,031
单价. : ¥2.94000
替代类型. : 类似

型号 : DTC043TMT2L

制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 2,536
单价. : ¥1.91000
替代类型. : 类似

1528663-2 HTSW-140-17-S-D-LL ECNR10 603246RD MTSW-102-07-F-S-175

RN1110MFV,L3F

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