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GermanyG3S06504C
元器件型号详细信息
原厂型号
G3S06504C
摘要
DIODE SIL CARB 650V 11.5A TO252
详情
二极管 650 V 11.5A 表面贴装型 TO-252
原厂/品牌
Global Power Technology-GPT
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
Global Power Technology-GPT
系列
-
包装
散装
Product Status
在售
技术
SiC（Silicon Carbide）Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
650 V
电流 - 平均整流 (Io)
11.5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.7 V @ 4 A
速度
无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间 (trr)
0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
50 µA @ 650 V
不同 Vr、F 时电容
181pF @ 0V，1MHz
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装
TO-252
工作温度 - 结
-55°C ~ 175°C
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
可根据要求提供 REACH 信息
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
其它名称
3383-G3S06504CTB
3383-G3S06504C
3383-G3S06504CCT
3383-G3S06504CTB-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/Global Power Technology-GPT G3S06504C
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规格书
1(G3S06504C)
HTML 规格书
1(G3S06504C)
价格
数量: 1000
单价: $13.47455
包装: 散装
最小包装数量: 1
包装: 散装
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $15.35924
包装: 散装
最小包装数量: 1
包装: 散装
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $18.0424
包装: 散装
最小包装数量: 1
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数量: 10
单价: $22.02
包装: 散装
最小包装数量: 1
包装: 散装
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $24.48
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最小包装数量: 1
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替代型号
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