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GermanyRJK0332DPB-01#J0
元器件型号详细信息
原厂型号
RJK0332DPB-01#J0
摘要
MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 35A（Ta） 45W（Tc） LFPAK
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
18 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
35A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.7 毫欧 @ 17.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2180 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
45W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
LFPAK
封装/外壳
SC-100，SOT-669
基本产品编号
RJK0332
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-1161-RJK0332DPB-01#J0CT
RJK0332DPB01J0
RJK0332DPB-01#J0CT
RJK0332DPB-01#J0DKR
RJK0332DPB-01#J0TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Renesas Electronics America Inc RJK0332DPB-01#J0
相关文档
规格书
1(RJK0332DPB-01)
PCN 组装/来源
1(Power Transistors Relocation 12/Nov/2013)
PCN 封装
1(Label Change-All Devices 01/Dec/2022)
HTML 规格书
1(RJK0332DPB-01)
价格
数量: 2500
单价: $8.28444
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
替代型号
型号 : TPH7R204PL,LQ
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 32,278
单价. : ¥5.17000
替代类型. : 类似
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