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GermanyIPW65R041CFDFKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPW65R041CFDFKSA1
摘要
MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
详情
通孔 N 通道 650 V 68.5A（Tc） 500W（Tc） PG-TO247-3-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
管件
产品状态
最后售卖
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
68.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
41 毫欧 @ 33.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 3.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
300 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
8400 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
500W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3-1
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
IPW65R041
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPW65R041CFDFKSA1-ND
448-IPW65R041CFDFKSA1
IPW65R041CFD
IPW65R041CFD-ND
SP000756288
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPW65R041CFDFKSA1
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PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Site Add 20/Sep/2018)
HTML 规格书
1(IPW65R041CFD)
仿真模型
1(CoolMOS™ Power MOSFET 650V CFD2 Spice Model)
价格
数量: 1000
单价: $78.18721
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $85.24172
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $95.8234
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $113.461
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $123.46
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : IPW65R041CFDFKSA2
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥123.46000
替代类型. : 参数等效
库存 : 0
单价. : ¥123.46000
替代类型. : 参数等效
型号 : TK62N60X,S1F
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
单价. : ¥89.52000
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制造商 : STMicroelectronics
库存 : 565
单价. : ¥140.95000
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替代类型. : 类似
型号 : STW69N65M5
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 588
单价. : ¥99.93000
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替代类型. : 类似
型号 : STW78N65M5
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥150.81000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥150.81000
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制造商 : STMicroelectronics
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型号 : SIHG70N60AEF-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
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库存 : 0
单价. : ¥88.64000
替代类型. : 类似