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元器件型号详细信息
原厂型号
STL18N65M2
摘要
MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 8A（Tc） 57W（Tc） PowerFlat™（5x6）HV
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh™ M2
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
365 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
21.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
764 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
57W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerFlat™（5x6）HV
封装/外壳
8-PowerVDFN
基本产品编号
STL18
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-497-15477-1
-497-15477-2
497-15477-1
497-15477-2
-497-15477-6
497-15477-6
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STL18N65M2
相关文档
规格书
1(STL18N65M2)
产品培训模块
1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Site Add 3/Aug/2018)
PCN 封装
1(Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021)
HTML 规格书
1(STL18N65M2)
EDA 模型
1(STL18N65M2 by Ultra Librarian)
价格
数量: 3000
单价: $10.14548
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $10.89701
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $13.15152
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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单价: $16.0071
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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单价: $22.18
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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替代型号
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