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GermanyIPL65R190E6AUMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPL65R190E6AUMA1
摘要
MOSFET N-CH 650V 20.2A 4VSON
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-VSON-4
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ E6
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
190 毫欧 @ 7.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 700µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
73 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1620 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
151W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-VSON-4
封装/外壳
4-PowerTSFN
基本产品编号
IPL65R
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
2A（4 周）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPL65R190E6AUMA1
相关文档
规格书
1(IPL65R190E6)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices EOL 31/Aug/2017)
PCN 设计/规格
1(Mult Device MSL Update 4/Sep/2017)
HTML 规格书
1(IPL65R190E6)
仿真模型
1(CoolMOS™ Power MOSFET 650V E6 Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : IPL65R070C7AUMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,748
单价. : ¥78.78000
替代类型. : 直接
库存 : 2,748
单价. : ¥78.78000
替代类型. : 直接
型号 : FCMT199N60
制造商 : onsemi
库存 : 5,957
单价. : ¥41.02000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥41.02000
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