元器件型号详细信息

原厂型号
STH140N6F7-2
摘要
MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 80A(Tc) 158W(Tc) H2Pak-2
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
STMicroelectronics
系列
DeepGATE™, STripFET™ VII
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
40 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2700 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
158W(Tc)
工作温度
175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
H2Pak-2
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
STH140

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

STH140N6F7-2-ND
497-16314-6
497-16314-1
497-16314-2

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/STMicroelectronics STH140N6F7-2

相关文档

规格书
1(STH140N6F7-2,6)
产品培训模块
1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
PCN 产品变更/停产
1(STH140N6F7 02/Nov/2021)
EDA 模型
1(STH140N6F7-2 by Ultra Librarian)

价格

-

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