元器件型号详细信息

原厂型号
MT3S113(TE85L,F)
摘要
RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI
详情
RF 晶体管 NPN 5.3V 100mA 12.5GHz 800mW 表面贴装型 S-Mini
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
晶体管类型
NPN
电压 - 集射极击穿(最大值)
5.3V
频率 - 跃迁
12.5GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)
1.45dB @ 1GHz
增益
11.8dB
功率 - 最大值
800mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
200 @ 30mA,5V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
100mA
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装
S-Mini
基本产品编号
MT3S113

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

其它名称

MT3S113(TE85LF)CT
MT3S113(TE85LF)
264-MT3S113(TE85L,F)DKR
MT3S113(TE85LF)TR
264-MT3S113(TE85L,F)TR
MT3S113(TE85LF)DKR-ND
264-MT3S113(TE85L,F)CT
MT3S113(TE85LF)DKR
MT3S113(TE85LF)CT-ND
MT3S113(TE85LF)TR-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极(BJT)/双极射频晶体管/Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113(TE85L,F)

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规格书
1(MT3S113)

价格

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