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元器件型号详细信息
原厂型号
BSM600C12P3G201
摘要
SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
详情
底座安装 N 通道 1200 V 600A（Tc） 2460W（Tc） 模块
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
18 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
托盘
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
600A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.6V @ 182mA
Vgs（最大值）
+22V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
28000 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2460W（Tc）
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
底座安装
供应商器件封装
模块
封装/外壳
模块
基本产品编号
BSM600
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Rohm Semiconductor BSM600C12P3G201
相关文档
规格书
1(BSM600C12P3G201)
产品培训模块
()
视频文件
()
特色产品
()
EDA 模型
1(BSM600C12P3G201 by Ultra Librarian)
价格
数量: 4
单价: $11447.4025
包装: 托盘
最小包装数量: 4
包装: 托盘
最小包装数量: 4
替代型号
-