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GermanyIPD25N06S4L30ATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPD25N06S4L30ATMA1
摘要
MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 25A（Tc） 29W（Tc） PG-TO252-3-11
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
30 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 8µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
16.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1220 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
29W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3-11
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IPD25N
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPD25N06S4L30ATMA1TR
2156-IPD25N06S4L30ATMA1
IPD25N06S4L-30TR-ND
IPD25N06S4L-30-ND
IPD25N06S4L-30TR
IPD25N06S4L-30DKR
IPD25N06S4L30ATMA1CT
INFINFIPD25N06S4L30ATMA1
IPD25N06S4L-30
IPD25N06S4L-30CT
IPD25N06S4L-30CT-ND
IPD25N06S4L-30DKR-ND
SP000481508
IPD25N06S4L30ATMA1DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD25N06S4L30ATMA1
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PCN 零件状态变更
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HTML 规格书
1(IPD25N06S4L-30)
价格
-
替代型号
型号 : IPD25N06S4L30ATMA2
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 4,874
单价. : ¥7.08000
替代类型. : 直接
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单价. : ¥7.08000
替代类型. : 直接
型号 : IRLR2705TRLPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 13,539
单价. : ¥7.71000
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替代类型. : 类似
型号 : IRFR4105TRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,835
单价. : ¥10.89000
替代类型. : 类似
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型号 : IRLR2705TRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 17,317
单价. : ¥7.71000
替代类型. : 类似
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型号 : PJD25N06A-AU_L2_000A1
制造商 : Panjit International Inc.
库存 : 950
单价. : ¥6.36000
替代类型. : 类似
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替代类型. : 类似
型号 : AOD4130
制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 176,209
单价. : ¥7.55000
替代类型. : 类似
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替代类型. : 类似
型号 : PJD25N06A_L2_00001
制造商 : Panjit International Inc.
库存 : 7,859
单价. : ¥4.69000
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型号 : HUF75329D3ST
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥8.19000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥8.19000
替代类型. : 类似