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GermanyIPT60R125G7XTMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPT60R125G7XTMA1
摘要
MOSFET N-CH 600V 20A 8HSOF
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 20A（Tc） 120W（Tc） PG-HSOF-8-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ G7
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
125 毫欧 @ 6.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 320µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
27 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1080 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
120W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-HSOF-8-2
封装/外壳
8-PowerSFN
基本产品编号
IPT60R125
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-IPT60R125G7XTMA1
IPT60R125G7XTMA1TR
IPT60R125G7XTMA1DKR
INFINFIPT60R125G7XTMA1
SP001579334
IPT60R125G7XTMA1CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPT60R125G7XTMA1
相关文档
规格书
1(IPT60R125G7)
PCN 设计/规格
1(CoolIMOS DS Chg 11/Dec/2020)
PCN 封装
1(Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018)
HTML 规格书
1(IPT60R125G7)
EDA 模型
1(IPT60R125G7XTMA1 by SnapEDA)
仿真模型
1(CoolMOS™ Power MOSFET 600V G7 Spice Model)
价格
数量: 2000
单价: $21.45049
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2000
数量: 1000
单价: $22.57944
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
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替代型号
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