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GermanySIZ200DT-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SIZ200DT-T1-GE3
摘要
MOSFET N-CH DUAL 30V
详情
MOSFET - 阵列 30V 22A（Ta），61A（Tc），22A（Ta），60A（Tc） 4.3W（Ta），33W（Tc） 表面贴装型 8-PowerPair®（3.3x3.3）
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
32 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET® Gen IV
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
22A（Ta），61A（Tc），22A（Ta），60A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.5 毫欧 @ 10A，10V，5.8 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
28nC @ 10V，30nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1510pF @ 15V，1600pF @ 15V
功率 - 最大值
4.3W（Ta），33W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerWDFN
供应商器件封装
8-PowerPair®（3.3x3.3）
基本产品编号
SIZ200
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SIZ200DT-T1-GE3CT
SIZ200DT-T1-GE3TR
SIZ200DT-T1-GE3DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Vishay Siliconix SIZ200DT-T1-GE3
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1(SIZ200DT)
HTML 规格书
1(SIZ200DT)
EDA 模型
1(SIZ200DT-T1-GE3 by Ultra Librarian)
价格
数量: 3000
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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