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GermanySTB9NK90Z
元器件型号详细信息
原厂型号
STB9NK90Z
摘要
MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 900 V 8A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
50 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
SuperMESH™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.3 欧姆 @ 3.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
72 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2115 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
160W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
STB9
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
497-7955-6
497-7955-2
STB9NK90Z-ND
497-7955-1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STB9NK90Z
相关文档
规格书
1(STx9NK90Z)
其他相关文档
1(STB9NK90Z View All Specifications)
PCN 组装/来源
1(Mult Devices 27/Feb/2019)
PCN 封装
1(Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021)
HTML 规格书
1(STx9NK90Z)
EDA 模型
1(STB9NK90Z by Ultra Librarian)
价格
数量: 1000
单价: $20.92796
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
数量: 500
单价: $24.8145
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $29.1499
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $35.576
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
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